| 1. | GaAs based multi-junction devices are the most efficient solar cells to date.
Les dispositifs à multijonctions GaAs sont les cellules les plus efficaces. |
| 2. | The primary advantage of Si technology is its lower fabrication cost compared with GaAs.
L'avantage principal du silicium est son faible coût de fabrication comparé à celui du GaAs. |
| 3. | The APG-79 AESA uses transmit/receive (TR) modules populated with Gallium arsenide Monolithic microwave integrated circuits.
L'APG-79 AESA utilise des cartes pour l'émission et la réception équipées de circuits intégrés monolithiques hyperfréquences (MMIC) à GaAs. |
| 4. | Mohamooda Gaas was elected as the Secretary General of ARDUF in 1995, but refused the post, leaving it to his deputy Muhyadin Mafatah.
Mohamooda Gaas fut élu secrétaire général en 1995, mais il refusa le poste qui revint au député Muhyadin Mafatah. |
| 5. | The x in the formula above is a number between 0 and 1 - this indicates an arbitrary alloy between GaAs and AlAs.
Le x dans la formule ci-dessus est un nombre compris entre 0 et 1 - ceci indique un alliage arbitraire entre le GaAs et l'AlAs. |
| 6. | In 1993, 30% stake in Eesti Gaas was transferred to Lentransgaz (now: Gazprom Transgaz Saint Petersburg), a subsidiary of Gazprom, to eliminate the gas debt dispute.
En 1993, 30 % des actions de Eesti Gaas sont cédées à Lentransgaz une filiale de Gazprom pour résoudre le problème de la dette du gaz. |
| 7. | Other III-V technologies, such as indium phosphide (InP), have been shown to offer superior performance to GaAs in terms of gain, higher cutoff frequency, and low noise.
D'autres technologies, comme celle fondée sur le phosphure d'indium (InP), permettent des performances supérieures au GaAs en termes de gain, de fréquences d'utilisation plus élevées et de bruit plus réduit. |
| 8. | It has two fundamental advantages over silicon (Si), the traditional material for IC realisation: device (transistor) speed and a semi-insulating substrate.
Le GaAs a deux avantages fondamentaux par rapport au silicium (Si) qui est le composant traditionnel des circuits intégrés : la vitesse du dispositif (transistor) et l'utilisation d'un substrat semi-conducteur que l'on va doper ou graver par exemple. |
| 9. | The GaAs–AlGaAs system is favored for constructing VCSELs because the lattice constant of the material does not vary strongly as the composition is changed, permitting multiple "lattice-matched" epitaxial layers to be grown on a GaAs substrate.
L'alternance GaAs/AlGaAs est intéressante pour la construction de VCSEL, car la constante de réseau du matériau varie peu lorsque la composition change, permettant ainsi la croissance épitaxiale de multiples couches sur substrat GaAs avec accord de maille. |
| 10. | The party was founded in March 1993 as a coalition of three Afar organizations: the Afar Revolutionary Democratic Unity Union (ARDUU), founded in 1991 and led by Mohamooda Gaas (or Gaaz); the Afar Ummatah Demokrasiyyoh Focca (AUDF); and the Afar Revolutionary Forces (ARF).
Le parti a été créé en mars 1993 comme coalition de trois organisations Afar : l'Union démocratique révolutionnaire unie de l'Afar (UDRUA) fondée en 1991 par Mohamooda Gaas, l'Afar Ummatah Demokrasiyyoh Focca (AUDF) et les Forces révolutionnaires Afar (FRA). |
